Infineon errichtet in Villach eine weltweit neuartige GaN-Großserienfertigung für. Leistungshalbleiter auf Wafern mit 300 Millimetern Durchmesser und hoher Kapazität. Bis 2034 investiert das Unternehmen rund 1,1 Milliarden Euro. Die Mittel fließen in vorhandene Reinräume und deren technische Modernisierung. Der Produktionsbeginn ist für Ende des Jahres 2027 vorgesehen geplant. Die Chips unterstützen KI-Rechenzentren, Energieinfrastruktur, Elektromobilität, Robotik und Konsumentenelektronik gleichermaßen. Der Kapazitätsausbau erfolgt schrittweise und orientiert sich an realer Marktnachfrage.
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Infineon baut Villach zur globalen 300-Millimeter-GaN-Fertigungsbasis für Großserien aus
Infineon etabliert in Villach eine Fertigung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter auf Wafern mit 300 Millimetern Durchmesser. Diese Produktionsplattform richtet sich auf große Ausbringungsmengen aus und schafft die Voraussetzungen für eine wirtschaftliche Serienfertigung der nächsten GaN-Generation. Der größere Wafer erlaubt mehr Bauelemente je Durchlauf und unterstützt stabile Prozesse bei wachsendem Bedarf. Gleichzeitig erweitert der Standort seine Rolle als international bedeutendes Zentrum für Entwicklung, Fertigung und Kompetenz im Bereich moderner Leistungshalbleiter mit globaler Wirkung.
Infineon modernisiert vorhandene Villacher Reinräume für effizienten bedarfsgerechten Kapazitätsausbau
Infineon verwendet für den Ausbau der GaN Fertigung bestehende Reinraumkapazitäten in Villach und passt deren technische Ausstattung an die neuen Prozessanforderungen an. Die Modernisierung vorhandener Flächen reduziert den Aufwand für Gebäude, Versorgungssysteme und Erschließung. Dadurch lassen sich Investitionen gezielter einsetzen und Kapazitäten schrittweise erweitern. Der Produktionshochlauf kann flexibel an die Nachfrage nach Leistungshalbleitern gekoppelt werden, ohne dass zunächst ein vollständig neuer Fertigungsbau für diesen Zweck am Standort errichtet werden muss.
Galliumnitrid steigert Energieeffizienz in Stromversorgungen für wichtige Zukunftsmärkte weltweit
GaN-Leistungshalbleiter ermöglichen Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit geringeren Verlusten umwandeln. Diese Eigenschaften unterstützen die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung adressiert daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Produktionsstart in Villach Ende 2027, Investitionen bis 2034 geplant
Infineon beabsichtigt, die Produktion von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern am Standort Villach gegen Ende des Jahres 2027 aufzunehmen. Für den Ausbau der Fertigung sind bis 2034 Investitionen von etwa 1,1 Milliarden Euro vorgesehen. Der Aufbau zusätzlicher Kapazitäten erfolgt nicht starr nach einem festen Zeitplan, sondern orientiert sich an der Entwicklung der Nachfrage. Dadurch kann das Unternehmen Produktionsvolumen und Auslastung an den tatsächlichen Marktbedarf für GaN-Bauelemente anpassen und flexibel steuern über die gesamte Laufzeit.
Chips Act fördert Villacher Halbleiterfertigung mit 319 Millionen Euro
Für den Aufbau einer europäischen Hochvolumenfertigung für moderne Galliumnitrid-Leistungshalbleiter erhält Infineon 319 Millionen Euro aus dem Europäischen Chips Act. Die Förderung unterstützt den Ausbau technologischer Kompetenzen und Produktionskapazitäten innerhalb Europas. Sie soll die Versorgungssicherheit verbessern, Abhängigkeiten von außereuropäischen Lieferketten verringern und die industrielle Wertschöpfung stärken. Die geplante Fertigung schafft skalierbare Kapazitäten für energieeffiziente Leistungselektronik und unterstützt Anwendungen in Rechenzentren, Energienetzen, Elektrofahrzeugen, Robotik sowie Unterhaltungselektronik. Gleichzeitig festigt das Projekt Europas Halbleiterbasis.
Infineon erweitert in Villach die Galliumnitrid-Produktion auf modernen 300-Millimeter-Wafern nachhaltig. Bestehende Reinräume und Anlagen bilden dafür die technische Ausgangsbasis direkt. Der Ansatz begrenzt Bauaufwand und ermöglicht einen wirtschaftlichen Kapazitätsausbau schrittweise. Gefertigt werden energieeffiziente Leistungshalbleiter für wachsende industrielle und digitale Märkte. Anwender erhalten dadurch perspektivisch besser verfügbare skalierbare Komponenten für Anwendungen. Die Förderung des Europäischen Chips Act stärkt europäische Produktionsstrukturen dauerhaft. Zugleich sinkt die Abhängigkeit von außereuropäischen Lieferketten für Schlüsseltechnologien merklich.
