WE-HCMD Induktivität verbessert TLVR-Leistungsdichte und Effizienz erheblich unter Hochstrombedingungen

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Die WE-HCMD von Würth Elektronik ist eine Hochstrominduktivität mit MnZn-Kern, die speziell für Trans-Inductor Voltage Regulator-Topologien entwickelt wurde. Durch einen niedrigen Gleichstromwiderstand von nur 0,125 m? sowie ein schnelles Einschwingverhalten minimiert sie Spannungseinbrüche und Platzbedarf. Bei Umgebungstemperaturen bis 125 °C erreicht sie Sättigungsströme bis 190 A. Entwickler profitieren von hoher Leistungsdichte und Effizienz, während die Anforderungen an Ausgangskondensatoren sinken und die Gesamtkosten reduziert werden. Diese Komponente eignet sich für GPU-, FPGA- und CPU-Boards.

WE-HCMD Induktivität liefert 190 A Sättigungsstrom bei 125 °C

Die Spulen bestehen aus Flachdraht, wobei die innere isoliert ist. (Foto: Würth Elektronik eiSos GmbH & Co. KG)

Die Spulen bestehen aus Flachdraht, wobei die innere isoliert ist. (Foto: Würth Elektronik eiSos GmbH & Co. KG)

Würth Elektronik hat mit der WE-HCMD eine Hochstrominduktivität entwickelt, die speziell für TLVR-Topologien optimiert wurde. Die duale MnZn-Kern-Spule bietet einen beeindruckend hohen Koppelfaktor von bis zu 0,98 und verfügt über sehr niedrige interne Widerstände von nur 0,125 m?. Mit wählbaren Induktivitäten zwischen 70 nH und 200 nH sowie einem maximalen Sättigungsstrom von 190 A bei einem Nennstrom von 78 A garantiert sie herausragende Effizienz und Zuverlässigkeit. Innovativ in kompakter Bauform.

MnZn-Kern optimierte Materialwahl erhöht Leistungsdichte und Effizienz deutlich spürbar

Durch die hohe Permeabilität des MnZn-Kerns und die gezielt optimierte Materialauswahl erreicht die WE-HCMD-Spule eine außergewöhnlich hohe Leistungsdichte bei gleichzeitig minimalem Verlustwiderstand. Ihr schneller Einschwingvorgang minimiert Spannungseinbrüche in TLVR-Topologien und steigert deren Wirkungsgrad spürbar. Durch den reduzierten Spannungsabfall lassen sich kleinere Ausgangskondensatoren einsetzen, was sowohl den Platzbedarf auf der Leiterplatte verringert als auch die Gesamtkosten der Anwendung senkt. Dabei profitieren Entwickler von erhöhter Systemstabilität und verbessertem thermischen Verhalten in Anwendungen.

WE-HCMD gewährleistet stabile Effizienz bei starken Lastsprüngen in TLVR

Moderne Spannungsversorgungen, insbesondere bei FPGA-Plattformen in Verbindung mit rechenintensiven KI-Lasten, sind durch abrupt wechselnde Stromanforderungen gekennzeichnet. Die Hochstrominduktivität WE-HCMD gewährleistet auch unter extremen Temperaturbedingungen eine gleichbleibend hohe Effizienz und minimiert Verluste während Spitzenströmen. Dank der optimierten Materialkombination und des MnZn-Kerns bleibt die Induktivität bis 125 °C stabil und erlaubt TLVR-Schaltungen, ihr maximales Leistungspotenzial bei schnellen Lastwechseln zuverlässig auszuschöpfen. Die Bauform unterstützt Multiphase-Designs und reduziert effektiv Spannungsabfälle im transienten Betrieb signifikant zuverlässig.

WE-HCMD liefert zuverlässige Multi-Phase-Induktivität für stabile Hochstromversorgungen bei Lastspitzen

Die WE-HCMD-Induktivität wurde speziell für mehrstufige Spannungsregler entwickelt und adressiert anspruchsvolle Anwendungen wie CPU-Motherboards, GPUs, FPGAs, KI-Prozessoren, Server und Hochleistungs-ASICs. Durch gekoppelte Induktivitätswicklungen in Multi-Phase-Systemen gewährleistet sie gleichbleibend stabile Versorgungsspannungen selbst bei abrupten Lastwechseln. Unerwünschte Spannungseinbrüche werden wirkungsvoll reduziert, während hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erhalten bleiben. Entwicklern ermöglicht dies kompakte Power-Designs mit optimierter Performance unter extremen Betriebsbedingungen. Hinzu kommt minimierte Leiterplattenfläche, wodurch das Layout vereinfacht und der Materialaufwand gesenkt wird.

Vier Versionen 0910, sechs Modelle 1111, zuverlässig bis 125°C

Die WE-HCMD-Familie umfasst insgesamt zehn Hochstrominduktivitäten in zwei Gehäusegrößen: vier Modelle im kompakteren 0910-Format und sechs Varianten im 1111-Gehäuse. Sie gewährleisten zuverlässigen Betrieb bis 125 °C Umgebungstemperatur und bieten einen Sättigungsstrom von bis zu 190 A bei einem Nennstrom von 78 A. Dank eines äußerst niedrigen Gleichstromwiderstands von nur 0,125 m? bleiben Leistungsverluste minimal, während die Induktivität selbst unter extremen Bedingungen konstant stabil bleibt. Effiziente und optimierte thermische Performance garantieren.

WE-HCMD SMT-Modelle jetzt ab Lager verfügbar ohne Mindestbestellmenge sofort

Die SMT-kompatiblen WE-HCMD-Modelle sind ab sofort lückenlos auf Lager verfügbar, ohne dass Entwickler eine Mindestbestellmenge erfüllen müssen. Interessierte Ingenieure und Designteams können individuelle Prototypenmuster kostenlos anfordern. Damit erleichtert Würth Elektronik die rasche Integration dieser Hochstrominduktivitäten in Trans-Inductor Voltage Regulator-Topologien. Mit sofortiger Lieferbarkeit und flexibler Bemusterung lassen sich TLVR-Schaltungen effizient validieren, optimieren und in kürzester Zeit produktionsreif entwickeln, ohne Vorlaufkosten zu verursachen. Dies verkürzt Entwicklungszyklen deutlich und erhöht die Planungssicherheit im Designprozess.

WE-HCMD-Angebot verbessert TLVR-Topologien mit deutlicher, hoher Effizienz und Leistungsdichte

Die WE-HCMD-Baureihe von Würth Elektronik bietet optimierte Hochstrominduktivitäten für TLVR-Topologien, die dank eines MnZn-Kerns eine herausragende Leistungsdichte und einen minimalen Gleichstromwiderstand realisieren. Bei Temperaturen bis zu 125 °C garantieren die Spulen bis zu 190 A Sättigungsstrom und überzeugen durch schnelle Einschwingvorgänge sowie niedrige Verluste. Entwickler profitieren von reduzierten Platzanforderungen und kleineren Ausgangskondensatoren, die Gesamtkosten senken und effiziente Spannungsversorgung bei CPU-, GPU-, FPGA- und KI-Anwendungen ermöglichen und langfristige Zuverlässigkeit im Hochleistungsbetrieb sicherstellen.

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